是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BCY | 包装说明: | METAL CAN, TO-99, 8 PIN |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.88 | Is Samacsys: | N |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.5 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.25 µA |
标称共模抑制比: | 100 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电压: | 6000 µV | JESD-30 代码: | O-MBCY-W8 |
JESD-609代码: | e0 | 低-失调: | NO |
负供电电压上限: | -22 V | 标称负供电电压 (Vsup): | -15 V |
功能数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装代码: | TO-99 |
封装等效代码: | CAN8,.2 | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 电源: | +-15 V |
认证状态: | Not Qualified | 最小摆率: | 1.5 V/us |
标称压摆率: | 2 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 6.6 mA | 供电电压上限: | 22 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | NO |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 标称均一增益带宽: | 4000 kHz |
最小电压增益: | 25000 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM4559T/883B | RAYTHEON |
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Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, MBCY8, | |
RM4559T883B | FAIRCHILD |
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Dual High-Gain Operational Amplifier | |
RM45N600T2 | RECTRON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
RM45N600T7 | RECTRON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
RM45N60DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 45 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 10 mOhms;Total Gate Charge (nQ) | |
RM45N80LD | RECTRON |
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Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 45 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.0 mOhms;Total Gate Charge (nQ | |
RM45P20D3 | RECTRON |
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Vdss (V) : 19 V;Id @ 25C (A) : 45 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7 mOhms;Total Gate Charge (nQ) | |
RM4606S8 (N) | RECTRON |
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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 6.5 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 20 mOhms;Total Gate Charge (nQ | |
RM4606S8 (P) | RECTRON |
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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 7.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 28 mOhms;Total Gate Charge (nQ | |
RM46L430 | TI |
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16/32 位 RISC 闪存 MCU,Cortex R4F,USB |