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RM4559JGB

更新时间: 2024-11-18 19:52:07
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德州仪器 - TI 放大器
页数 文件大小 规格书
2页 149K
描述
IC,OP-AMP,DUAL,BIPOLAR,DIP,8PIN,CERAMIC

RM4559JGB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP针数:8
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01风险等级:5.92
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER架构:VOLTAGE-FEEDBACK
频率补偿:YESJESD-30 代码:R-XDIP-T8
低-失调:NO标称负供电电压 (Vsup):-15 V
功能数量:2端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:+-15 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B子类别:Operational Amplifier
标称供电电压 (Vsup):15 V表面贴装:NO
技术:BIPOLAR温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RM4559JGB 数据手册

 浏览型号RM4559JGB的Datasheet PDF文件第2页 

与RM4559JGB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM4559LB TI

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Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, MBCY8,
RM4559T883B FAIRCHILD

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Dual High-Gain Operational Amplifier
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RM45N600T7 RECTRON

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Power Field-Effect Transistor,
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RM45N80LD RECTRON

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Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 45 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.0 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM45P20D3 RECTRON

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Vdss (V) : 19 V;Id @ 25C (A) : 45 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7 mOhms;Total Gate Charge (nQ)