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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.25 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.25 µA | 最小共模抑制比： | 80 dB |
| 标称共模抑制比： | 100 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 5000 µV | JESD-30 代码： | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 低-失调： | NO |
| 负供电电压上限： | -22 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | +-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最小摆率： | 1.5 V/us |
| 标称压摆率： | 2 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 5.6 mA | 供电电压上限： | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 4000 kHz |
| 最小电压增益： | 50000 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM4559D883B | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual High-Gain Operational Amplifier |
|
| RM4559FKB | TI |
获取价格 |
IC,OP-AMP,DUAL,BIPOLAR,LLCC,20PIN,CERAMIC |
|
| RM4559JGB | TI |
获取价格 |
IC,OP-AMP,DUAL,BIPOLAR,DIP,8PIN,CERAMIC |
|
| RM4559LB | TI |
获取价格 |
IC,OP-AMP,DUAL,BIPOLAR,CAN,8PIN,METAL |
|
| RM4559T | RAYTHEON |
获取价格 |
Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, MBCY8, |
|
| RM4559T | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual High-Gain Operational Amplifier |
|
| RM4559T/883B | RAYTHEON |
获取价格 |
Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, MBCY8, |
|
| RM4559T883B | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual High-Gain Operational Amplifier |
|
| RM45N600T2 | RECTRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| RM45N600T7 | RECTRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
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