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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TO-99, 8 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.0006 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.0001 µA | 标称共模抑制比： | 130 dB |
| 频率补偿： | YES | 最大输入失调电压： | 45 µV |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W8 | JESD-609代码： | e0 |
| 低-偏置： | YES | 低-失调： | YES |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装等效代码： | CAN8,.2 | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | +-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小摆率： | 0.1 V/us | 标称压摆率： | 0.3 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 最大压摆率： | 1.6 mA |
| 供电电压上限： | 22 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽： | 800 kHz |
| 最小电压增益： | 600000 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM4097AT/883B | RAYTHEON |
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Operational Amplifier, 1 Func, 45uV Offset-Max, BIPolar, MBCY8, TO-99, 8 PIN |
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| RM40N100DF | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 40 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 18 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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| RM40N100DFV | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 40 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 18 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
|
| RM40N100HD | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 40 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 18 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
|
| RM40N100LD | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 40.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 14.5 mOhms;Total Gate Charge |
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| RM40N200TI | RECTRON |
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Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 40 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 36.4 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM40N40DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 40 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 8.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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| RM40N40LD | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 42 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 13.5 mOhms;Total Gate Charge (n |
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| RM40N600T7 | RECTRON |
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Vdss (V) : 600 V;Id @ 25C (A) : 40 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 149 nQ;Maximum Power Dis |
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| RM40P40DF | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 40 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 10 mOhms;Total Gate Charge (nQ) |
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