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RM3CWK

更新时间： 2024-11-18 21:05:55
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon,

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RM3CWK 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.56
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

RM3CWK 数据手册

  
Rectifier Diodes  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Mass  
Parameter  
IFSM  
(A)  
Tj  
(°C)  
Tstg  
(°C)  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
IR ( )  
H
(µA)  
Rth (j-  
)
VRM  
(V)  
I
F (AV) (A)  
Fig.  
A
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Type No.  
V = VRM  
R
VR = VRM  
( ) is with  
Heatsink  
IF  
(°C/ W)  
(g)  
max  
0.95  
(A)  
max  
10  
=
Ta 100°C max  
400  
600  
RM 3  
2.5  
2.0  
RM 3A  
RM 3B  
RM 3C  
RM 4Y  
RM 4Z  
RM 4  
RM 4A  
RM 4B  
RM 4C  
100  
(150°C)  
150  
200  
2.5  
10  
1.0  
800  
1000  
100  
200  
–40 to +150  
0.95  
400  
1.7  
(3.0)  
3.0  
3.5  
10  
10  
50  
50  
8
8
1.2  
1.2  
600  
B
800  
150  
350  
0.97  
0.92  
1000  
1.8  
(3.2)  
600  
RM 4AM  
RM 3 series  
Ta —IF (AV) Derating  
VF---I F Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
2.5  
10  
150  
100  
L= 20 mm  
L= 20 mm  
20ms  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
P. C. B. 1.6 t  
Solder Land  
5.5  
1
0.1  
RM3C  
50  
0
=
Ta 100ºC  
0.01  
0.001  
25ºC  
1
1
1
5
10  
50  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
0.3  
0.5  
0.7  
0.9  
1.1  
Ambient Temperature Ta (ºC)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RM 4 series  
Ta —IF (AV) Derating  
VF---I F Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
200  
160  
120  
80  
100  
10  
3.75  
3.00  
2.25  
1.50  
5 mm  
5 mm  
RM 4Y  
RM 4Z  
RM 4  
RM 4A  
1
RM4B  
RM4C  
40  
0.75  
0
0
0.1  
0
1.0  
2.0  
5
10  
50  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
Ambient Temperature Ta (ºC)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RM 4M series  
Ta —IF (AV) Derating  
VF---I F Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
100  
10  
1
3.5  
350  
300  
20ms  
2.8  
2.1  
1.4  
0.7  
0
5 mm  
5 mm  
200  
100  
0
0.1  
=
T
a
150ºC  
100ºC  
25ºC  
0.01  
0.001  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
5
10  
50  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
Ambient Temperature Ta (ºC)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
External Dimensions  
(Unit: mm)  
Fig.  
A
Fig.  
B
1.2±0.05  
1.4±0.1  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
5.2 ±0.2  
6.5 ±0.2  
16  
1

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与RM3CWK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM3CWS SANKEN

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon,
RM3N60EA RECTRON

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 		Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 3.2 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 75 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM3N700S4 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 700 V;Id @ 25C (A) : 3.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1300 mOhms;Total Gate Charge
RM3U0804SBK HAMMOND

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 		DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE
RM3U0804VBK HAMMOND

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RM3U0808SBK HAMMOND

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RM3U08BKFP HAMMOND

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RM3U18BRKT HAMMOND

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RM3U1908SBK HAMMOND

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 		Extruded Aluminum Frame - Type 6063

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