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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.95 V |
| JEDEC-95代码： | DO-201AD | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 150 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 2.5 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 参考标准： | TS 16949 | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 最大反向电流： | 10 µA | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM3C20S6 (N) | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 3.8 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 40 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
|
| RM3C20S6 (P) | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 2.5 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 100 mOhms;Total Gate Charge (n |
|
| RM3CV | SANKEN |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
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| RM3CV1 | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| RM3CV3 | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| RM3CVO | SANKEN |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| RM3CW | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| RM3CWK | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| RM3CWS | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| RM3N60EA | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 3.2 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 75 mOhms;Total Gate Charge (nQ |
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