5秒后页面跳转
RM37N650TI PDF预览

RM37N650TI

更新时间: 2024-10-15 18:09:35
品牌 Logo 应用领域
RECTRON
页数 文件大小 规格书
9页 1111K
描述
Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 37 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 100 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 86 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 35.7 W;Vgs(th) (typ) : 4.0 V;Input Capacitance (Ciss) : 3300 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-220F

RM37N650TI 数据手册

 浏览型号RM37N650TI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RM37N650TI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RM37N650TI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RM37N650TI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RM37N650TI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RM37N650TI的Datasheet PDF文件第7页 
RM37N650TI  
650  
100  
37  
V
m
¡
A
ƽROHS compliant  
Halogen-free  
G
D
S
TO-220F  
RM37N650TI  
37N650  
2021-05/21  
REV:B  

与RM37N650TI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM380N60D7 RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 380 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.97 mOhms;Total Gate Charge (
RM391K ETC

获取价格

R. F. Molded Chokes
RM3940J-3.3XQML TI

获取价格

3.3V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.2V DROPOUT, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
RM3A EIC

获取价格

SILICON RECTIFIER DIODES
RM3A SANKEN

获取价格

Rectifier Diodes
RM3A6N30S2 RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 3.6 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 58 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM3AV1 SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon,
RM3AV3 SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon,
RM3AV4 SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon,
RM3AVO SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon,