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ASM-SENSOR | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 2741K | |
描述 | ||
An Evolution in Stable Measurements |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM35HG-34S | MITSUBISHI |
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Super Fast Recovery Diodes | |
RM35HG-34S | POWEREX |
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Super Fast Recovery Single Diode (35 Amperes/1700 Volts) | |
RM35N250HD | RECTRON |
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Vdss (V) : 250 V;Id @ 25C (A) : 35 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 50 mOhms;Total Gate Charge (nQ | |
RM35N250T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 250 V;Id @ 25C (A) : 35 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 50 mOhms;Total Gate Charge (nQ | |
RM35N250T7 | RECTRON |
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Vdss (V) : 250 V;Id @ 25C (A) : 35 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 50 mOhms;Total Gate Charge (nQ | |
RM35N30DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 35.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.9 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM35N30DN | RECTRON |
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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 35.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 4.8 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM35N650AT7 | RECTRON |
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Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 35 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 93 mOhms;Total Gate Charge (nQ | |
RM35N650T7 | RECTRON |
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Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 35 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 84 mOhms;Total Gate Charge (nQ | |
RM35N80D3 | RECTRON |
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Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 15 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 14.5 mOhms;Total Gate Charge (n |