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RM300N85TL

更新时间： 2024-11-19 18:10:07
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 栅
页数 文件大小 规格书
7页 185K
描述
Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 300 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1.2 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 167 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 500 W;Input Capacitance (Ciss) : 13574 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : TOLL-8L

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RM300N85TL  
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
The RM300N85TL uses advanced trench technology and  
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It  
can be used in a wide variety of applications.  
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General Features  
VDS = 85V,ID =300A  
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Schematic diagram  
RDS(ON) < 1.5mΩ @ VGS=10V  
Description  
Pin  
RDS(ON) < 2.3mΩ @ VGS=6V  
Gate(G)  
1
2,3,4,5,6,7,8  
Surface-mounted package  
Super Trench  
Source(S)  
Drain(D)  
9
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Advanced trench cell design  
Application  
Power Tool appliances  
High power inverter system  
BMS appliances  
Halogen-free  
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TOLL top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
14000pcs  
RM300N85TL  
TOLL-8L  
13 inch  
2000pcs  
KJ01N08T  
Absolute Maximum Ratings (TA=25 unless otherwise noted)  
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2021-12/113  
REV:A  
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与RM300N85TL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM300N85TLV RECTRON

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 		Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 300 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1.2 mOhms;Total Gate Charge (n
RM3010 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 10.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 8 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM3010S6 RECTRON

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 		Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 10.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 8 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM302024 TE

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