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RM2310V

更新时间： 2024-06-27 12:12:19

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		栅
页数	文件大小	规格书
6页	511K
描述
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 3.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 78 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ :

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RM2310V 数据手册

RM2310V

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Halogen-free

P/N suffix V means AEC-Q101 qualified, e.g:RM2310V

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity (PCS)

ꢀꢁꢂꢁ

RM2310V

Sꢃꢄ-23

7 inch

3000

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25ć unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_a=25ć)

Continuous Drain Current (T_a=70ć)

Pulsed Drain Current^{(1) (2)}

I_D

2.3

I_DM

Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient⁽³⁾

P_D

1.67

R_θJA

T_J

ć/W

Junction Temperature

175

-55~ +175

Storage Temperature

T_STG

2023-02/59

REV:O

12 3 4 5 6

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与RM2310V相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM2312	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 4.5 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 21 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM2316	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 4.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 31 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM231C	ETC	获取价格	Logic IC
RM231D	ETC	获取价格	Logic IC
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RM233024	TE	获取价格	Power Relay
RM2333	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 12.0 V;Id @ 25C (A) : 6.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 19 mOhms;Total Gate Charge (