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RM2301S3

更新时间: 2024-10-31 18:09:11
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RECTRON
页数 文件大小 规格书
5页 96K
描述
Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 2.8 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 90 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 3.3 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.45 W;Vgs(th) (typ) : 0.4 V;Input Capacitance (Ciss) : 405 pF;Polarity : P-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : SOT-323

RM2301S3 数据手册

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RM2301S3  
P-Channel 20-V(D-S) MOSFET  
FEATURE  
TrenchFET Power MOSFET  
SOT-323  
3
1. GATE  
1
2. SOURCE  
3. DRAIN  
APPLICATIONS  
2
Load Switch for Portable Devices  
DC/DC Converter  
Marking:S1  
Maximum ratings (Ta=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
VDS  
VGS  
ID  
-20  
±±  
V
Gate-Source Voltage  
-2.±  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
A
IDM  
IS  
-5.0  
Continuous Source-Drain Diode Current  
Maximum Power Dissipation  
-0.72  
0.45  
PD  
R
W
Thermal Resistance from Junction to Ambient(t ≤5s)  
Junction Temperature  
357  
JA  
θ
/W  
TJ  
150  
Storage Temperature  
Tstg  
-55 ~+150  
201±-04/67  
REV:O  

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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 5.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 26 mOhms;Total Gate Charge (nQ