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RM21N650HD

更新时间: 2024-11-19 18:09:23
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RECTRON
页数 文件大小 规格书
10页 651K
描述
Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 21 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 150 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 36 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 188 W;Vgs(th) (typ) : 3.5 V;Input Capacitance (Ciss) : 2250 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : TO-263(D2-PAK)

RM21N650HD 数据手册

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RM21N650T2  
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2022-04/15  
REV:B  

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