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RM20N650T2

更新时间： 2024-10-31 18:05:03

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		栅
页数	文件大小	规格书
11页	1501K
描述
Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 20 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 210 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 48 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 180 W;Vgs(th) (typ) : 3.5 V;Input Capacitance (Ciss) : 2600 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-220

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RM20N650T2 技术参数

RM20N650TI

RM20N650T2

RM20N650HD

mΩ

650

210

MAX

Halogen-free

20N650

RM20N650HD

RM20N650T2

RM20N650TI

RM20N650HD

RM20N650T2

RM20N650TI

650

0.27

180

1.5

420

0.7

2018-07/15

REV:A

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM20N650TI	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 20 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 210 mOhms;Total Gate Charge (n
RM20P100LD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 20 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 165 mOhms;Total Gate Charge (n
RM20P30D3	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 20 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 11.5 mOhms;Total Gate Charge (n
RM20TA-24	MITSUBISHI	获取价格	HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE
RM20TA-2H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE
RM20TN-H	MITSUBISHI	获取价格	Three-Phase Diode Bridge
RM20TPM-24	MITSUBISHI	获取价格	HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE
RM20TPM-24	POWEREX	获取价格	Three-Phase Diode Bridge Modules (40 Amperes/1200-1600 Volts)
RM20TPM-24_02	MITSUBISHI	获取价格	HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE
RM20TPM-2H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE