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RM1ZV1

更新时间： 2024-10-30 15:49:47

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三垦 - SANKEN		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	187K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon

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RM1ZV1 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.07
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

RM1ZV1 数据手册

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

RM1Z

１ Scope

The present specifications shall apply to Sanken silicon diode, RM1Z.

２ Outline

Type

Silicon Rectifier Diode (Mesa type)

Structure

Applications

Resin Molded

Flammability: UL94V-0 (Equivalent)

Frequency Rectification，etc.

３ Absolute maximum ratings

No.

Item

Symbol Unit

Rating

250

Conditions

Transient Peak Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

V_RSM

V_RM

200

Refer to derating curve

in Section 6

Average Forward Current

I_F(AV)

1.0

50Hz.

Peak Surge Forward Current

Junction Temperature

Storage Temperature

I_FSM

T_j

Half sinewave, one

shot

°C

-40 to +150

T_stg

４ Electrical characteristics (Ta=25°C, unless otherwise specified)

No.

Item

Symbol Unit

Rating

Conditions

Forward Voltage Drop

Reverse Leakage Current

V_F

I_R

0.95 max.

5 max.

I_F=1.0A

V_R=V_RM

µA

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

µA

50 max.

15 max.

V_R=V_RM, T_j=100°C

H･I_R

Thermal Resistance

R_th(j-l)°C/W

Between Junction and Lead

040115

1／3

61426-01

12 3

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