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RM1N6092

更新时间: 2024-06-27 12:11:45
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RECTRON /
页数 文件大小 规格书
6页 710K
描述
Vdss (V) : 600 V;Id @ 25C (A) : 1.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 10 Ohms;Maximum Power Dissipation (W) : 1.0 W;Input Capacitance (Ciss) : 155 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-92

RM1N6092 数据手册

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RM1N6092  
N-Channel MOSFET 600V,1A,10Ω  
1A  
10Ω  
1.0  
0.6  
3.0  
1.0  
0.04  
1.0  
50  
Avalanche Current  
I
A
Body Marking  
1N60  
RM1N6092  
2024-03/33  
REV:A  

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