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RM130N200T2

更新时间: 2024-10-31 18:05:03
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RECTRON
页数 文件大小 规格书
8页 307K
描述
Vdss (V) : 200 V;Id @ 25C (A) : 130 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 9.4 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 56 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 429 W;Vgs(th) (typ) : 3 V;Input Capacitance (Ciss) : 4970 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-220

RM130N200T2 数据手册

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RM130N200T7  
(T2)(HD)  
200V N-Ch Power MOSFET  
Feature  
High Speed Power Switching  
Enhanced Body diode dv/dtcapability  
100% UIS tested  
EnhancedAvalanche Ruggedness  
Pb-free lead plating  
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PΩ  
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Application  
TO-220  
TO-263  
Synchronous Rectification in SMPS  
Hard Switching and High Speed Circuit  
Power Tools  
UPS  
Motor Control  
Halogen-free  
Drain  
Pin2  
TO-247  
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3DFNDJH  
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Gate  
Pin 1  
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Src  
Pin3  
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2019-08/69  
REV:O  

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