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RL1N1200F-B PDF预览

RL1N1200F-B

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, A-405, 2 PIN

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RL1N1200F-B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC, A-405, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.68其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.3 µs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

RL1N1200F-B 数据手册

 浏览型号RL1N1200F-B的Datasheet PDF文件第2页 
RL1N1000F  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
RL1N1800F  
PHOTOFLASH RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 1000 to 1800 Volts CURRENT 0.5 Ampere  
FEATURES  
* High reliability  
* Low leakage  
* Low forward voltage drop  
* High current capability  
A-405  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
(
)
.025 0.6  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
DIA.  
(
)
.021 0.5  
(
)
1.0 25.4  
MIN.  
* Weight: 0.20 gram  
(
)
.205 5.2  
(
)
.166 4.2  
(
)
.107 2.7  
DIA.  
(
)
.080 2.0  
(
)
1.0 25.4  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
RL1N1000F RL1N1200F RL1N1400F RL1N1600F RL1N1800F  
UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
RRM  
RMS  
1000  
700  
1200  
840  
1400  
980  
1600  
1120  
1600  
1800  
1260  
1800  
Volts  
Volts  
Volts  
V
DC  
O
1000  
1200  
1400  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current  
I
500  
30  
mAmps  
Amps  
at TA  
= 55oC  
Peak Forward Surge Current IFM (surge): 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
C
J
10  
pF  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
T
J
, TSTG  
-55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 0.5A DC  
Maximum DC Reverse Current  
SYMBOL  
RL1N1000F RL1N1200F RL1N1400F RL1N1600F RL1N1800F  
1.8  
UNITS  
Volts  
V
F
5.0  
uAmps  
at Rated DC Blocking Voltage T  
Maximum Full Load Reverse Current Average, Full Cycle  
.375” (9.5mm) lead length at T  
= 55oC  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
NOTES : 1. Test Conditions: I = 0.5A, I = -1.0A, IRR = -0.25A  
2. Measured at 1 MH and applied reverse voltage of 4.0 volts  
A
= 25oC  
I
R
100  
300  
uAmps  
nSec  
L
trr  
F
R
2002-12  
Z
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RL1N1200F-E RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1200V V(RRM), Silicon
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 		暂无描述
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 		PHOTOFLASH RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 1000 to 1800 Volts CURRENT 0.5 Ampere)
RL1N1400F-B RECTRON

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