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RK33V3

更新时间： 2024-11-05 15:49:43
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 43K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon,

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RK33V3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.73
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：2.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大反向恢复时间：0.1 µs
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

RK33V3 数据手册

 浏览型号RK33V3的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes 30V, 40V  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Mass  
Parameter  
IFSM  
(A)  
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Tj  
Tstg  
VF  
(V)  
IR  
(mA)  
IR  
(mA)  
t
(H)  
rr  
(ns)  
Rth (j-  
)
(°C) (°C)  
VRM  
(V)  
IF (AV)  
(A)  
Fig.  
Type No.  
VR =VRM  
max  
VR =VRM  
IF  
IF  
(mA)  
/IRP  
max  
(°C/ W)  
(g)  
Ta =100°C max  
(A)  
50 (Tj=100°C)  
25  
40  
1.0  
1.0  
1.0  
100  
200  
22.0  
20.0  
17.0  
15.0  
12.0  
8.0  
0.13  
0.3  
A
B
C
D
E
F
AK 03  
EK 03  
EK 13  
RK 13  
RK 33  
RK 43  
AK 04  
EK 04  
EK 14  
RK 14  
RK 34  
RK 44  
1.0  
1.5  
1.7  
2.5  
3.0  
0.3  
2.0  
30  
40  
0.45  
0.6  
60  
50  
80  
25  
5.0  
1.0  
50  
2.5  
3.0  
1.0  
1.0  
100  
1.2  
–40 to +150  
0.55  
100/100  
A
B
C
D
E
F
50 (Tj=100°C) 100  
22.0  
20.0  
17.0  
15.0  
12.0  
8.0  
0.13  
0.3  
1.0  
40  
200  
1.5  
1.7  
2.5  
3.0  
0.3  
2.0  
0.45  
0.6  
60  
50  
80  
5.0  
50  
2.5  
3.0  
100  
1.2  
AK 03, 04  
VF—IF Characteristics (Typical)  
VR —IR Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta —IF(AV) Derating  
1.0  
20  
10  
50  
10  
25  
20  
15  
10  
5
50  
20ms  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
3.0 t 50µCu  
1
0.1  
125ºC  
100ºC  
P.C.B. t 1.6  
1
0.1  
60ºC  
=
T
a
125ºC  
100ºC  
60ºC  
0.01  
0.001  
0.01  
0.001  
27ºC  
27ºC  
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
1
1
1
5
10  
50  
50  
50  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Reverse Voltage VR (V)  
Overcurrent Cycles  
EK 03, 04  
VF—IF Characteristics (Typical)  
VR —IR Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta —IF(AV) Derating  
1.0  
10  
1
100  
10  
40  
30  
20  
10  
0
20ms  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
=
T
a
125ºC  
=
T
a
125ºC  
25ºC  
0.1  
0.01  
1
=
T
a
25ºC  
0.1  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
5
10  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Reverse Voltage VR (V)  
Overcurrent Cycles  
EK 13, 14  
VF—IF Characteristics (Typical)  
VR —IR Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta —IF(AV) Derating  
1.5  
40  
30  
100  
10  
1
20ms  
1.2  
0.9  
0.6  
0.3  
0
=
T
a
125ºC  
10  
1
20  
10  
0
=
T
a
125ºC  
25ºC  
0.1  
=
T
a
25ºC  
0.01  
0.1  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
C
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
5
10  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Reverse Voltage VR (V)  
Overcurrent Cycles  
External Dimensions  
Fig.  
A
Fig.  
Fig.  
Fig.  
Fig.  
Fig.  
F
B
D
E
(Unit: mm)  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
0.57±  
0.6±0.05  
0.78±0.05  
0.78±0.05  
0.98±0.05  
1.4±0.1  
0.02  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
2.4±  
0.1  
2.7±0.2  
2.7±0.2  
4.0±0.2  
4.0±0.2  
6.5±0.2  
88  
12

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