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RK14V1

更新时间： 2024-09-16 21:00:59

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三垦 - SANKEN		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	232K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.7A, Silicon,

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RK14V1 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.72
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	60 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1.7 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.2 µs
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

RK14V1 数据手册

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

RK14

1.Scope

The present specifications shall apply to an RK14.

2.Outline

Type

Silicon Schottky Barrier Diode

Structure

Resin Molded

Flammability : UL94V-0(Equivalent)

Applications

High Frequency Rectification

3. Absolute maximum ratings

Item

Symbol

V_RSM

V_RM

I_F(AV)

I_FSM

I²t

Unit

Rating

Conditions

No.

Transient Peak Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

Average Forward Current

Peak Surge Forward Current

I²t Limiting Value

1.7

Refer to Derating of 6

10msec.

Half sinewave, one shot

A²s

°C

1msec≤t≤10msec

Junction Temperature

Storage Temperature

T_j

-40~+150

T_stg

4.Electrical characteristics

Item

Symbol

V_F

Unit

Value

Conditions

Forward Voltage Drop

Reverse Leakage Current

0.55 max.

5.0 max.

I_F=2.0A

V_R=V_RM

I_R

20 max.

70 max.

V_R=V_RM, T_j=125°C

V_R=V_RM, T_j=150°C

H･I_R1

H･I_R2

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

Thermal Resistance

Between Junction and Lead

R_th(j-l)°C /W

15 max.

040130

1／4

61426-01

12 3 4

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