5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-83 |
| 包装说明： | R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 2 V |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 最大非重复峰值正向电流： | 140 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 30 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.1 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RJU60C6SDPK-M0 | RENESAS |
获取价格 |
Single Diode Fast Recovery Diode |
|
| RJU60C6SDPK-M0-T0 | RENESAS |
获取价格 |
30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3PSG, 3 PIN |
|
| RJU60C6SDPQ-A0 | RENESAS |
获取价格 |
Fast Recovery Diode |
|
| RJU60C6SDPQ-T2 | RENESAS |
获取价格 |
Fast Recovery Diode |
|
| RJU60C6TDPP-AJ | RENESAS |
获取价格 |
600V - 50A - Single Diode Fast Recovery Diode |
|
| RJU60C6TDPP-EJ | RENESAS |
获取价格 |
Single Diode Fast Recovery Diode |
|
| RJU60C6TDPP-EJ-T2 | RENESAS |
获取价格 |
30A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, TO-220FP, 2 PIN |
|
| RJU60C6WDPK-M0 | RENESAS |
获取价格 |
600V - 50A - Dual Diode Super Fast Recovery Diode |
|
| RJU60C6WDPK-M0T0 | RENESAS |
获取价格 |
600V - 50A - Dual Diode Super Fast Recovery Diode |
|
| RJU65F24DWA | RENESAS |
获取价格 |
High-performance Fast Recovery Diodes with Low VF and High-speed trr for Increasing Device |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
