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RJK03F8DNS-00-J5

更新时间： 2024-11-19 09:48:23
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瑞萨 - RENESAS 开关电源开关
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7页 92K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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RJK03F8DNS-00-J5 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.0104 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：12.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RJK03F8DNS-00-J5 数据手册

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Preliminary Datasheet  
RJK03F8DNS  
Silicon N Channel Power MOS FET  
Power Switching  
REJ03G1918-0100  
Rev.1.00  
Apr 21, 2010  
Features  
High speed switching  
Capable of 4.5 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Low on-resistance  
RDS(on) = 7 mtyp. (at VGS = 8 V)  
Pb-free  
Halogen-free  
Outline  
RENESAS Package code: PWSN0008JB-A  
(Package name: HWSON-8)  
5
6
7 8  
D D D D  
8
7
6
5
1, 2, 3  
4
5, 6, 7, 8 Drain  
Source  
Gate  
4
G
1
2
3
4
S
1
S S  
2
3
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
30  
Unit  
V
V
±12  
16  
A
Note1  
Drain peak current  
ID(pulse)  
64  
A
Body-drain diode reverse drain current  
Avalanche current  
IDR  
16  
A
Note 2  
IAP  
10  
A
Note 2  
Avalanche energy  
EAR  
10  
mJ  
W
Channel dissipation  
Pch Note3  
ch-c Note3  
Tch  
12.5  
10.0  
150  
Channel to case thermal impedance  
Channel temperature  
Storage temperature  
C/W  
C  
C  
Tstg  
–55 to +150  
Notes: 1. PW 10 s, duty cycle 1%  
2. Value at Tch = 25C, Rg 50   
3. Tc = 25C  
REJ03G1918-0100 Rev.1.00  
Apr 21, 2010  
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