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RJK03E7DPA-00-J53

更新时间： 2024-11-19 09:48:23
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瑞萨 - RENESAS 开关电源开关
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7页 118K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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RJK03E7DPA-00-J53 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.0033 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N5JESD-609代码：e4
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RJK03E7DPA-00-J53 数据手册

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Preliminary Datasheet  
RJK03E7DPA  
Silicon N Channel Power MOS FET  
Power Switching  
REJ03G1931-0210  
Rev.2.10  
May 20, 2010  
Features  
High speed switching  
Capable of 4.5 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Low on-resistance  
RDS(on) = 2.3 mtyp. (at VGS = 8 V)  
Pb-free  
Halogen-free  
Outline  
RENESAS Package code: PWSN0008DC-A  
(Package name: WPAK(2))  
5
6
7 8  
D D D D  
6 7 8  
5
1, 2, 3  
4
5, 6, 7, 8 Drain  
Source  
Gate  
4
G
1
4 3 2  
S
1
S S  
2
3
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
30  
Unit  
V
V
±12  
45  
A
Note1  
Drain peak current  
ID(pulse)  
180  
45  
A
Body-drain diode reverse drain current  
Avalanche current  
IDR  
A
Note 2  
IAP  
22  
A
Note 2  
Avalanche energy  
EAR  
48.4  
45  
mJ  
W
Channel dissipation  
Pch Note3  
ch-c Note3  
Tch  
Channel to case thermal impedance  
Channel temperature  
2.78  
150  
C/W  
C  
C  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Notes: 1. PW 10 s, duty cycle 1%  
2. Value at Tch = 25C, Rg 50   
3. Tc = 25C  
REJ03G1931-0210 Rev.2.10  
May 20, 2010  
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