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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0056 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N5 | JESD-609代码： | e4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RJK03E6DPA-00-J5A | RENESAS |
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Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| RJK03E7DPA | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK03E7DPA_13 | RENESAS |
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N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| RJK03E7DPA-00-J53 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK03E7DPA-00-J5A | RENESAS |
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N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| RJK03E8DPA | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK03E8DPA_13 | RENESAS |
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N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| RJK03E8DPA-00-J53 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK03E8DPA-00-J5A | RENESAS |
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N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| RJK03E9DPA | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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