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RJJ0315DPA-00-J5A

更新时间： 2024-11-21 20:10:07

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瑞萨 - RENESAS		/
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7页	153K
描述
POWER, FET

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RJJ0315DPA-00-J5A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

RJJ0315DPA-00-J5A 数据手册

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Datasheet

RJJ0315DPA

-30V, -35A, 5.9mΩmax.

P Channel Power MOS FET

High Speed Power Switching

R07DS0388EJ0400

Rev.4.00

Mar 22, 2013

Features



High speed switching

Capable of 4.5 V gate drive

Low drive current

High density mounting

Low on-resistance

Pb-free

Halogen-free

Outline

RENESAS Package code: PWSN0008DE-A

(Package name: WPAK(3F))

7 8

D D D D

6 7 8

1, 2, 3

Source

Gate

4 3 2

5, 6, 7, 8 Drain

S S

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

–30

Unit

-20/+10

–35

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

–140

–35

Body-drain diode reverse drain current

Channel dissipation

I_DR

Pch ^Note2

Tch

°C

Channel temperature

Storage temperature

150

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW  10s, duty cycle  1 %

2. Tc = 25°C

R07DS0388EJ0400 Rev.4.00

Mar 22, 2013

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