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RI15N1200TP

更新时间： 2024-11-08 18:09:47

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		栅
页数	文件大小	规格书
10页	1218K
描述
Vdss (V) : 1200 V;Id @ 25C (A) : 15 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 130 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 150 W;Input Capacitance (Ciss) : 1330 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-3P

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RI15N1200TP 数据手册

RI15N1200TP

Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package.

Equivalent Circuit

Features

Low gate charge,, Low saturation voltage ,

e temperature coefficient, RoHS product.

Positiv

Applications

General purpose inverter, Frequency converters,

Induction Heating(IH), Uninterrupted Power

P i n n i n g

Supply(UPS).

PIN1͹Gate

PIN 2

Collector

PIN 3

͹Emitter

Absolute Maximum Ratings(Ta=25 Ȼ)

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2019-10/33

REV:B

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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