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RI15N1200T7

更新时间: 2024-11-17 18:09:47
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RECTRON
页数 文件大小 规格书
8页 1666K
描述
Vdss (V) : 1200 V;Id @ 25C (A) : 15 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 130 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 150 W;Input Capacitance (Ciss) : 1330 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-247

RI15N1200T7 数据手册

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RI15N1200T7  
Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-24ꢞ Plastic Package.  
Features  
Low gate charge,, Low saturation voltage ,  
e temperature coefficient, RoHS product.  
Positiv  
Applications  
General purpose inverter, Frequency converters,  
Supply(UPS).  
Schematic diagram  
Induction Heating(IH), Uninterrupted Power  
Marking Instructions  
YYWW  
15N1200  
Note:  
Logo+  
YYWW:  
Date Code.  
15N1200(Product Type.)  
TO-247 top view  
Absolute Maximum Ratings(Ta=25 Ȼ)  
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2019-10/33  
REV:B  

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