Datasheet > RH4FVO

RH4FVO

更新时间： 2024-11-14 15:49:39

品牌	Logo	应用领域
三垦 - SANKEN		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	34K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RH4FVO 技术参数

生命周期：	Not Recommended	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.56	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	2.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	4 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

RH4FVO 数据手册

Damper Diodes (For TV)

Electrical Characteristics (Ta =25°C)

t_rr

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Others

Mass

t_rr

I_FSM

(A)

50Hz

Half-cycle Sinewave

Single Shot

(°C)

Tstg

(°C)

V_F

(V)

I_R

(µA)

I_R

(H)

➀

➁

Rth (j-

)

(µs)

(µA)

V_RM

(V)

I_{F (AV)}

(A)

Fig.

Type No.

V_R=VRM

max

V_R=VRM

I_F

(A)

I_F

(mA)

I_RP

I_F

I_RP

max

(°C/ W)

(g)

100°C max

(mA)

1500

1300

0.8

1.0

15.0

0.44

RH 10F

RH 2D

RH 2F

RH 3F

RH 3G

RH 4F

1.0 1.0

10/10

12.0

0.6

500

–40 to +150

4.0

1.3 100/200

1500

1.3

2.5

10.0

8.0

1.0

1.2

1600

1500

2.5

100/100

1.5

350

RH 10F, 2D, 2F

V_F—I_FCharacteristics (Typical)

I_FMSRating

Ta —I_F(AV)Derating

1.0

20ms

0.8

0.6

0.4

0.2

0.1

150ºC

100ºC

60ºC

0.01

25ºC

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

25 40 50 60 75

100

125 150

Ambient Temperature Ta (°C)

Forward Voltage V_F(V)

Overcurrent Cycles

RH 3F, 3G

V_F—I_FCharacteristics (Typical)

I_FMSRating

Ta —I_F(AV)Derating

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

10mm

20ms

P. C. B. t 1.6

Solder Land 10 mm

0.1

150ºC

100ºC

60ºC

0.01

25ºC

0.001

0.1 0.3

0.5

0.7 0.9

1.1

1.3

100

125 150

Ambient Temperature Ta (°C)

Forward Voltage V_F(V)

Overcurrent Cycles

RH 4F

V_F—I_FCharacteristics (Typical)

I_FMSRating

Ta —I_F(AV)Derating

3.0

20• 20• 1t Cu

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

20ms

5mm

0.1

150ºC

100ºC

60ºC

0.01

25ºC

0.001

0.1 0.3

0.5

0.7 0.9

1.1

1.3

50 60 75

100

125 150

Ambient Temperature Ta (°C)

Forward Voltage V_F(V)

Overcurrent Cycles

Fig.

External Dimensions

Fig.

(Unit: mm)

0.78^±0.05

0.98^±0.05

1.2^±0.05

1.4 ^±0.1

Flammability:

UL94V-0 or Equivalent

Cathode Mark

4.0^±0.2

5.2^±0.2

6.5^±0.2

中文翻译

下载PDF

与RH4FVO相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RH4FW	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, Silicon,
RH4FWK	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, Silicon,
RH50	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 12 W, 0.1; 0.5; 1; 2; 5; 10 %, 15 ppm, 0.006 ohm - 130000 ohm, CHASS
RH-50	VISHAY	获取价格	Wire Wound Resistor, RESISTOR, WIRE WOUND, 50 W, 0.05; 0.1; 0.25; 0.5; 1; 3; 5 %, 20; 50;
RH50.043OHM5%	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 4 W, 5 %, 15 ppm, 0.043 ohm, CHASSIS MOUNT
RH-50.211%	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 5 W, 1 %, 100 ppm, 0.21 ohm, CHASSIS MOUNT, AXIAL LEADED
RH-50.2211%	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 5 W, 1 %, 100 ppm, 0.221 ohm, CHASSIS MOUNT, AXIAL LEADED
RH-50.2551%	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 5 W, 1 %, 100 ppm, 0.255 ohm, CHASSIS MOUNT, AXIAL LEADED
RH-50.255OHM1.0%	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 5 W, 1 %, 100 ppm, 0.255 ohm, CHASSIS MOUNT
RH-50.51OHM5%	VISHAY	获取价格	RESISTOR, WIRE WOUND, 7.5 W, 5 %, 100 ppm, 0.51 ohm, CHASSIS MOUNT

与RH4FVO相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

1
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

1
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

29
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RH4FVO

RH4FVO 技术参数

RH4FVO 数据手册

与RH4FVO相关器件

与RH4FVO相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RH4FVO

RH4FVO 技术参数

RH4FVO 数据手册

与RH4FVO相关器件

与RH4FVO相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？