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RH10FV

更新时间： 2024-11-11 19:50:15
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 34K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, Silicon

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RH10FV 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：4 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

RH10FV 数据手册

  
Damper Diodes (For TV)  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
trr  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Others  
Mass  
trr  
IFSM  
(A)  
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Tj  
(°C)  
Tstg  
(°C)  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
IR  
(H)  
➀
➁
Rth (j-  
)
(µs)  
(µs)  
(µA)  
VRM  
(V)  
IF (AV)  
(A)  
Fig.  
Type No.  
VR =VRM  
max  
VR =VRM  
IF  
(A)  
IF  
(mA)  
/
IRP  
IF  
/
IRP  
max  
(°C/ W)  
(g)  
Ta  
=
100°C max  
(mA)  
1500  
1300  
0.8  
1.0  
15.0  
0.44  
A
B
RH 10F  
RH 2D  
RH 2F  
RH 3F  
RH 3G  
RH 4F  
60  
50  
1.0 1.0  
10  
10/10  
12.0  
0.6  
500  
–40 to +150  
4.0  
1.3 100/200  
1500  
C
D
1.3  
2.5  
50  
10  
10.0  
8.0  
1.0  
1.2  
1600  
1500  
2.5  
100/100  
1.5  
350  
RH 10F, 2D, 2F  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta —IF(AV) Derating  
1.0  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
10  
0
20ms  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0.1  
=
T
a
150ºC  
100ºC  
60ºC  
0.01  
25ºC  
0.001  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1
1
1
5
10  
50  
0
25 40 50 60 75  
100  
125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RH 3F, 3G  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta —IF(AV) Derating  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
50  
40  
30  
20  
10  
0
20  
10  
10mm  
20ms  
P. C. B. t 1.6  
Solder Land 10 mm  
0
0.1  
=
T
a
150ºC  
100ºC  
60ºC  
0.01  
25ºC  
0.001  
0.1 0.3  
0.5  
0.7 0.9  
1.1  
1.3  
5
10  
50  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RH 4F  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta —IF(AV) Derating  
3.0  
50  
40  
30  
20  
10  
0
20  
10  
20• 20• 1t Cu  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
20ms  
5mm  
5mm  
0
0.1  
=
T
a
150ºC  
100ºC  
60ºC  
0.01  
25ºC  
0.001  
0
0
0.1 0.3  
0.5  
0.7 0.9  
1.1  
1.3  
5
10  
50  
25  
50 60 75  
100  
125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
Fig.  
B
External Dimensions  
Fig.  
A
Fig.  
C
Fig.  
D
(Unit: mm)  
0.78±0.05  
0.98±0.05  
1.2±0.05  
1.4 ±0.1  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
4.0±0.2  
4.0±0.2  
5.2±0.2  
6.5±0.2  
69  
1

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