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RGP25K/4 PDF预览

RGP25K/4

更新时间： 2024-11-16 20:10:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 38K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, 800V V(RRM)

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RGP25K/4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.91
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
最高工作温度：175 °C最大输出电流：2.5 A
最大重复峰值反向电压：800 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

RGP25K/4 数据手册

 浏览型号RGP25K/4的Datasheet PDF文件第2页 
RGP25A THRU RGP25M  
Glass Passivated Junction  
Fast Switching Rectifier  
Reverse Voltage 50 to 1000 V  
Forward Current 2.5 A  
DO-201AD  
Features  
• Plastic package has Underwriters Laboratories  
Flammability Classification 94V-0  
1.0 (25.4)  
MIN.  
• High temperature metallurgically bonded construction  
• Cavity-free glass passivated junction  
0.210 (5.3)  
• 2.5 Ampere operation at TA=55°C with no  
thermal runaway  
• Typical IR less than 0.2µA  
0.190 (4.8)  
DIA.  
• Capable of meeting environmental standards of  
MIL-S-19500  
• High temperature soldering guaranteed:  
350°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,  
5 lbs. (2.3kg) tension  
0.375 (9.5)  
0.285 (7.2)  
®
Mechanical Data  
Case: JEDEC DO-201AD, molded plastic over glass body  
Terminals: Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
0.052 (1.32)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.048 (1.22)  
DIA.  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.04 ounce, 1.12 grams  
Packaging codes/options:  
Dimensions in inches and (millimeters)  
*Glass-plastic encapsulation technique is covered by  
1/Bulk - 1.5K per container, 15K per box  
4/1.4K per 13” reel, 5.6K per box  
23/1K per Ammo. mag., 9K per box  
Patent No. 3,996,602 and brazed-lead assembly by Patent No. 3,930,306  
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
RGP  
25A  
RGP  
25B  
RGP  
25D  
RGP  
25G  
RGP RGP  
RGP  
25M  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
VRMS  
VDC  
25J  
600  
420  
600  
25K  
800  
560  
800  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
1000  
700  
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
V
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5mm) lead length at TA=55°C  
IF(AV)  
2.5  
100  
100  
A
A
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
Maximum full load reverse current, full cycle  
average0.375" (9.5mm) lead length at TA=55°C  
IR(AV)  
RΘJA  
µA  
Typical thermal resistance(1)  
20  
°C/W  
°C  
Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG  
-65 to +175  
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum instantaneous forward voltage at 2.5A  
VF  
1.3  
V
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25°C  
TA=125°C  
5.0  
200  
IR  
µA  
Maximum reverse recovery time  
IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A  
trr  
150  
250  
500  
ns  
Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz  
CJ  
60  
pF  
Notes: (1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted  
6/26/00  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RGP25K-E3/51 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT,
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