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RFP4N06

更新时间： 2024-09-24 20:27:23

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	40K
描述
4A, 60V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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RFP4N06 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RFP4N06 数据手册

RFP4N05, RFP4N06

June 1999

File Number 2880.2

4A, 50V and 60V, 0.800 Ohm, N-Channel

Power MOSFETs

Features

• 4A, 50V and 60V

These are N-Channel enhancement mode silicon gate

power ﬁeld effect transistors designed for applications such

as switching regulators, switching converters, motor drivers,

relay drivers and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

These types can be operated directly from integrated

circuits.

• r

= 0.800Ω

DS(ON)

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Symbol

Formerly developmental type TA09378.

Ordering Information

PART NUMBER

RFP4N05

RFP4N06

PACKAGE

BRAND

RFP4N05

RFP4N06

TO-220AB

NOTE: When ordering, include the entire part number.

Packaging

JEDEC TO-220AB

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN (FLANGE)

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

4-523

12 3 4 5

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与RFP4N06相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RFP4N06L	INTERSIL	获取价格	4A, 50V and 60V, 0.800 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFP4N100	INTERSIL	获取价格	4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, N-Channel Power MOSFETs
RFP4N100	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
RFP4N35	INTERSIL	获取价格	4A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFP4N40	INTERSIL	获取价格	4A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFP-500-50N-D	ETC	获取价格	Cable & Coaxial Terminations
RFP-50-100RCG	ANAREN	获取价格	Flanged Resistors
RFP-50-10AE	ANAREN	获取价格	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2000MHz Max, FM-2
RFP-50-10CAF	ANAREN	获取价格	Fixed Attenuator, CHIP
RFP-50-1AE	ANAREN	获取价格	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2000MHz Max, FM-2