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RFP4N05

更新时间： 2024-11-26 20:27:23
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 40K
描述
4A, 50V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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RFP4N05 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.3Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：0.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RFP4N05 数据手册

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RFP4N05, RFP4N06  
June 1999  
File Number 2880.2  
4A, 50V and 60V, 0.800 Ohm, N-Channel  
Power MOSFETs  
Features  
• 4A, 50V and 60V  
These are N-Channel enhancement mode silicon gate  
power field effect transistors designed for applications such  
as switching regulators, switching converters, motor drivers,  
relay drivers and drivers for high power bipolar switching  
transistors requiring high speed and low gate drive power.  
These types can be operated directly from integrated  
circuits.  
• r  
= 0.800Ω  
DS(ON)  
• Related Literature  
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Symbol  
D
Formerly developmental type TA09378.  
Ordering Information  
G
PART NUMBER  
RFP4N05  
RFP4N06  
PACKAGE  
BRAND  
RFP4N05  
RFP4N06  
TO-220AB  
S
TO-220AB  
NOTE: When ordering, include the entire part number.  
Packaging  
JEDEC TO-220AB  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN (FLANGE)  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.  
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
4-523  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RFP4N05L INTERSIL

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 		4A, 50V and 60V, 0.800 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
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 		4A, 60V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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 		4A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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 		Cable & Coaxial Terminations

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