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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 200 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 650 ns | 最大开启时间（吨）： | 365 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RFM15N12 | GE |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSSITORS |
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| RFM15N12 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 50V 15A |
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| RFM15N15 | GE |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSSITORS |
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| RFM15N15 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 50V 15A |
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| RFM1765-10 | RFHIC |
获取价格 |
Power Amplifier |
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| RFM1842-10 | RFHIC |
获取价格 |
Power Amplifier |
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| RFM1855-10 | RFHIC |
获取价格 |
Power Amplifier |
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| RFM1880-10 | RFHIC |
获取价格 |
Power Amplifier |
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| RFM18N08 | INTERSIL |
获取价格 |
18A, 80V and 100V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFM18N10 | INTERSIL |
获取价格 |
18A, 80V and 100V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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