Datasheet > RFM12N35

RFM12N35

更新时间： 2024-01-17 08:13:07

品牌	Logo	应用领域
英特矽尔 - INTERSIL		/
页数	文件大小	规格书
4页	35K
描述
12A, 350V and 400V, 0.500 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RFM12N35 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

RFM12N35 数据手册

RFM12N35,

RFM12N40

Semiconductor

12A, 350V and 400V, 0.500 Ohm,

N-Channel Power MOSFETs

September 1998

Features

Description

• 12A, 350V and 400V

These are N-Channel enhancement mode silicon gate

power ﬁeld effect transistors designed for applications such

as switching regulators, switching converters, motor drivers,

relay drivers and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

These types can be operated directly from integrated circuits.

• r

DS(ON)

= 0.500Ω

[ /Title

(RFM12

N35,

Ordering Information

RFM12

N40)

/Sub-

ject

(12A,

350V

and

PART NUMBER

RFM12N35

PACKAGE

BRAND

RFM12N35

RFM12N40

Formerly developmental type TA17434.

TO-204AA

RFM12N40

Symbol

NOTE: When ordering, use the entire part number.

400V,

0.500

Ohm,

N-Chan-

nel

Packaging

JEDEC TO-204AA

Power

MOS-

FETs)

/Author

()

DRAIN

(FLANGE)

/Key-

words

(12A,

350V

and

SOURCE (PIN 2)

GATE (PIN 1)

400V,

0.500

Ohm,

N-Chan-

nel

Power

MOS-

FETs)

/Cre-

ator ()

/DOCIN

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Users should follow proper ESD Handling Procedures.

File Number 1787.1

5-1

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与RFM12N35相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RFM12N40	INTERSIL	获取价格	12A, 350V and 400V, 0.500 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFM12N40	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,12A I(D),TO-204AA
RFM12P08	VISHAY	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE
RFM12P10	ROCHESTER	获取价格	12A, 100V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
RFM12U7X	TOSHIBA	获取价格	VHF- and UHF-band Amplifier Applications
RFM15N05	ETC	获取价格	POWER LOGIC LEVEL MOSFETS
RFM15N05L	RENESAS	获取价格	15A, 50V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
RFM15N06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-3
RFM15N06L	RENESAS	获取价格	15A, 60V, 0.14ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
RFM15N12	GE	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSSITORS