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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RFM10N15 | GE |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
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| RFM10N15 | NJSEMI |
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10A 450V AND 500V 0.600 OHM N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| RFM10N15L | NJSEMI |
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10A 450V AND 500V 0.600 OHM N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| RFM10N45 | INTERSIL |
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10A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFM10N50 | INTERSIL |
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10A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| RFM10P12 | GE |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
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| RFM10P15 | GE |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
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| RFM110 | HOPERF |
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RFM110 是一款超低成本、高度灵活的高性能单片OOK无线发射器，可在240-960 M |
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| RFM110L | HOPERF |
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RFM110L是一款 ASK/OOK无线数据传输、超低功耗、高灵敏度、远距离通讯、高性价比 |
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| RFM110W-315S1 | ETC |
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Low-Cost Consumer Electronics Applications |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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