Datasheet > RF5163

RF5163

更新时间： 2024-01-07 04:45:06

品牌	Logo	应用领域
威讯 - RFMD		放大器射频微波功率放大器
页数	文件大小	规格书
12页	510K
描述
3V-5V, 2.5GHZ LINEAR POWER AMPLIFIER

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RF5163 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LCC16,.16SQ,25	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	5A991.G	HTS代码：	8517.70.00.00
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	20 dB	最大输入功率 (CW)：	15 dBm
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	16
最大工作频率：	2500 MHz	最小工作频率：	2400 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-10 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC16,.16SQ,25
电源：	3/5 V	射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Matte Tin (Sn)
最大电压驻波比：	10	Base Number Matches：	1

RF5163 数据手册

RF5163

3V-5V, 2.5GHZ LINEAR POWER AMPLIFIER

RoHS Compliant & Pb-Free Product

Typical Applications

• 802.11b/g/n Access Points

• PCS Communication Systems

• 2.4GHz ISM Band Applications

• Commercial and Consumer Systems

• Portable Battery-Powered Equipment

• Broadband Spread-Spectrum Systems

Product Description

2 PLCS

0.05 C

0.10 C

-A-

The RF5163 is a linear, medium-power, high-efficiency

amplifier IC designed specifically for low voltage opera-

tion. The device is manufactured on an advanced Gallium

Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) pro-

cess, and has been designed for use as the final RF

amplifier in 802.11b/g/n access point transmitters. The

device is provided in a 4mmx4mm, 16-pin, leadless chip

carrier with a backside ground. The RF5163 is designed

to maintain linearity over a wide range of supply voltage

and power output.

0.90

0.85

4.00 SQ.

0.70

0.65

2.00 TYP

0.05

0.00

0.10 C

2 PLCS

12°

MAX

0.10 C B

2 PLCS

-B-

-C-

SEATING

PLANE

1.87 TYP

3.75 SQ

Shaded lead is pin 1.

0.10 C

2 PLCS

Dimensions in mm.

0.10M C A

0.60

0.24

TYP

0.35

0.23

Pin 1 ID

0.20 R

2.25

SQ.

1.95

0.75

0.50

TYP

0.65

Optimum Technology Matching® Applied

Package Style: QFN, 16-Pin, 4x4

Si BJT

GaAs HBT

SiGe HBT

GaN HEMT

GaAs MESFET

Si Bi-CMOS

InGaP/HBT

Si CMOS

Features

SiGe Bi-CMOS

• Single 3.3V or 5V Power Supply

• +33dBm Saturated Output Power (typ.)

• 20dB Large Signal Gain (typ.)

• 2.0% EVM @ +26dBm, 54Mbps (typ.)

• Separate Power Detect/Power Down Pins

• 1800MHz to 2500MHz Frequency Range

RF IN

12 RF OUT

11 RF OUT

10 RF OUT

VREG1GND

P DOWN

Bias

Ordering Information

P DETECT

9 GND

RF5163

3V-5V, 2.5GHz Linear Power Amplifier, Matte-Sn

(Pb-free) Finish

RF5163L

3V-5V, 2.5GHz Linear Power Amplifier, Sn-Pb Finish

RF5163PCBA-41XFully Assembled Evaluation Board

RF5163PCBA-WDFully Assembled Evaluation Board, With Driver

RF Micro Devices, Inc.

7628 Thorndike Road

Greensboro, NC 27409, USA

Tel (336) 664 1233

Fax (336) 664 0454

http://www.rfmd.com

Functional Block Diagram

Rev A12 061114

2-627

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与RF5163相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RF5163_1	RFMD	获取价格	3V-5V, 2.5GHZ LINEAR POWER AMPLIFIER
RF5163L	RFMD	获取价格	3V-5V, 2.5GHZ LINEAR POWER AMPLIFIER
RF5163PCBA-41X	RFMD	获取价格	3V-5V, 2.5GHZ LINEAR POWER AMPLIFIER
RF5163PCBA-WD	RFMD	获取价格	3V-5V, 2.5GHZ LINEAR POWER AMPLIFIER
RF5176	RFMD	获取价格	3V W-CDMA POWER 1900MHZ/ 3V LINEAR POWER AMPLIFIER
RF5176PCBA	RFMD	获取价格	3V W-CDMA POWER 1900MHZ/ 3V LINEAR POWER AMPLIFIER
RF5184	RFMD	获取价格	DUAL-BAND 800MHz/1900MHz W-CDMA POWER AMPLIFIER MODULE
RF5184PCBA-410	RFMD	获取价格	DUAL-BAND 800MHz/1900MHz W-CDMA POWER AMPLIFIER MODULE
RF5187	RFMD	获取价格	LOW POWER LINEAR AMPLIFIER
RF5187_06	RFMD	获取价格	LOW POWER LINEAR AMPLIFIER

与RF5163相关文章

LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
2024-06-14

14
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
2024-06-14

17
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024-06-14

10
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
2024-06-14

17

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RF5163

RF5163 技术参数

RF5163 数据手册

与RF5163相关器件

与RF5163相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RF5163

RF5163 技术参数

RF5163 数据手册

与RF5163相关器件

与RF5163相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？