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RF301B2S_09

更新时间： 2024-11-22 06:07:31

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罗姆 - ROHM		二极管快恢复二极管
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Fast Recovery Diode

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RF301B2S_09 数据手册

Fast Recovery Diode

RF301B2S

zLand size figure(Unit : mm)

zApplications

zDimentions(Unit : mm)

6.0

General rectification

ꢀꢀꢀ

zFeatures

1.6

1)Power mold type(CPD)

2)Ultra Low V_F

3)Very fast recovery

4)Low switching loss

CPD

2.3 2.3

zConstruction

zStructure

Silicon epitaxial planar

(2)

ROHM : CPD

JEITA : SC-63

Manufacture Date

(3)

(1)

zTaping specifications(Unit : mm)

zAbsolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

200

Average rectified forward current(*1)

Forward current surge peak (60Hz / 1cyc)(*1)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

(*1)Bussiness frequencies, Rating of R-load, Tc=128°C MAX.

zElectrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F

Min.

Typ.

0.87

10nA

Max.

0.93

Unit

Forward voltage

Reverse current

I_F=3A

V_R=200V

I_R

µA

trr

Reverse recovery time

Thermal impedance

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25*I_R

JUNCTION TO CASE

θjc

°C/W

www.rohm.com

2009.11 - Rev.D

1/3

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