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RF1BV1

更新时间： 2024-02-20 05:13:31

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三垦 - SANKEN		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	179K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.6A, Silicon

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技术参数
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RF1BV1 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.4 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

RF1BV1 数据手册

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

RF1B

１ Scope

The present specifications shall apply to an RF1B.

２ Outline

Type

Silicon Diode

Resin Molded

Structure

Applications

High Frequency Rectification

３ Flammability

UL94V-0(Equivalent)

４ Absolute maximum ratings

Item

Symbol Unit

Rating

850

Conditions

Transient Peak Reverse Voltage

V_RSM

V_RM

I_F(AV)

I_FSM

I²t

Peak Reverse Voltage

Average Forward Current

Peak Surge Forward Current

I²t Limiting Value

800

Refer to derating curve

in Section 7

0.6

10ms.

Half sine wave, one shot

A²s

°C

1.125

1 ms ≤ t ≤ 10 ms

Junction Temperature

Storage Temperature

T_j

-40 to +150

T_stg

５ Electrical characteristics (Ta=25°C ，unless otherwise specified)

No.

Item

ymbol

V_F

Unit

Value

Conditions

Forward Voltage Drop

Reverse Leakage Current

2.0 max.

10 max.

I_F=1.0A

V_R=V_RM

I_R

µA

Reverse

Under High Temperature

Leakage

Current

µA

200 max.

400 max.

180 max.

V_R=V_RM, T_j=100°C

H･I_R

trr-1

trr-2

I_F=I_RP=10mA

90% Recovery point, T_j=25°C

I_F=10mA,I_RP=20mA

75% Recovery point ,T_j=25°C

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

R_th(j-l)°C /W

15 max.

Between Junction and Lead

080306

1／3

61426-01

12 3

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