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HL6315G

更新时间: 2024-02-09 16:37:04
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 光电半导体
页数 文件大小 规格书
8页 35K
描述
LASER DIODE, LD/G2, 3 PIN

HL6315G 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.02
最大正向电流:0.03 A安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度:50 °C最低工作温度:-10 °C
光电设备类型:LASER DIODE峰值波长:640 nm
半导体材料:AlGaInP子类别:Laser Diodes
表面贴装:NOBase Number Matches:1

HL6315G 数据手册

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HL6315G/16G  
AlGaInP Laser Diodes  
ADE-208-218D (Z)  
5th Edition  
Dec. 2000  
Description  
The HL6315G/16G are 0.63 µm band AlGaInP laser diodes with a multi-quantum well (MQW) structure.  
They are suitable as light sources for laser poiters and optical equipment.  
Application  
Laser pointer  
Features  
Visible light output: 635 nm Typ (nearly equal to He-Ne gas laser)  
Optical output power: 3 mW CW  
Low operating current: 30 mA Typ  
Low operating voltage: 2.7 V Max  
TM mode oscillation  
Package Type  
HL6315G/16G: G2  
Internal Circuit  
HL6315G  
Internal Circuit  
HL6316G  
1
3
1
3
PD  
LD  
PD  
LD  
2
2

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