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2SJ550STL-E

更新时间: 2024-02-21 17:06:10
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲ISM频段
页数 文件大小 规格书
9页 95K
描述
Silicon P Channel MOS FET

2SJ550STL-E 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:LDPAK(S)-(1)包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.34Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A
最大漏极电流 (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.155 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):245
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:20
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ550STL-E 数据手册

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2SJ550(L), 2SJ550(S)  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0897-0300  
(Previous: ADE-208-633A)  
Rev.3.00  
Sep 07, 2005  
Description  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
RDS (on) = 0.075 typ.  
Low drive current.  
4 V gate drive devices.  
High speed switching.  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
(Package name: LDPAK (L) )  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK (S)-(1) )  
D
4
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
G
1
2
3
1
2
3
S
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8  

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