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2SJ548-E

更新时间: 2024-02-11 03:06:07
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
Silicon P Channel MOS FET

2SJ548-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:TO-220FM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.21
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A
最大漏极电流 (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.155 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ548-E 数据手册

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2SJ548  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0895-0300  
(Previous: ADE-208-639A)  
Rev.3.00  
Sep 07, 2005  
Description  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
RDS (on) = 0.075 typ.  
Low drive current.  
4 V gate drive devices.  
High speed switching.  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003AD-A  
(Package name: TO-220FM)  
D
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
G
1
2
3
S
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7  

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