5秒后页面跳转
2SJ542-E PDF预览

2SJ542-E

更新时间: 2024-01-10 01:45:40
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
Silicon P Channel MOS FET

2SJ542-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.28
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):18 A最大漏极电流 (ID):18 A
最大漏源导通电阻:0.11 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):72 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ542-E 数据手册

 浏览型号2SJ542-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ542-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SJ542-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ542-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ542-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ542-E的Datasheet PDF文件第7页 
2SJ542  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0889-0400  
(Previous: ADE-208-591B)  
Rev.4.00  
Sep 07, 2005  
Description  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
RDS (on) = 0.050 typ.  
Low drive current.  
4 V gate drive devices.  
High speed switching.  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AC-A  
(Package name: TO-220AB)  
D
1. Gate  
2. Drain (Flange)  
3. Source  
G
1
2
3
S
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7  

与2SJ542-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SJ543 RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ543 HITACHI Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

获取价格

2SJ543-E RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ544 RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ544 HITACHI Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

获取价格

2SJ544-E RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格