5秒后页面跳转
2SJ530S-E PDF预览

2SJ530S-E

更新时间: 2024-02-03 09:18:58
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 94K
描述
15A, 60V, 0.16ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3

2SJ530S-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.15
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):15 A
最大漏源导通电阻:0.16 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):245
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:20
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ530S-E 数据手册

 浏览型号2SJ530S-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ530S-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SJ530S-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ530S-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ530S-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ530S-E的Datasheet PDF文件第7页 
2SJ530(L), 2SJ530(S)  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0880-0500  
(Previous: ADE-208-655C)  
Rev.5.00  
Sep 07, 2005  
Description  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
RDS (on) = 0.08 typ.  
4 V gate drive devices.  
High speed switching.  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B  
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C  
(Package name: DPAK (L)-(2) )  
(Package name: DPAK (S) )  
4
4
D
1. Gate  
1
2
3
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
G
1
2
3
S
Rev.5.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8  

与2SJ530S-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SJ530STL-E RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ531 HITACHI Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

获取价格

2SJ531 RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ531-E RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ532 RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ532 HITACHI Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

获取价格