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2SJ529STR-E

更新时间: 2024-02-22 14:22:47
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 94K
描述
Pch Single Power MOSFET -60V -10A 160mohm DPAK(S)/TO-252

2SJ529STR-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:DPAK(S)针数:4
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.65
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

2SJ529STR-E 数据手册

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2SJ529(L), 2SJ529(S)  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0879-0300  
(Previous: ADE-208-654A)  
Rev.3.00  
Sep 07, 2005  
Description  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
RDS (on) = 0.12 typ.  
4 V gate drive devices  
High speed switching  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B  
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C  
(Package name: DPAK (L)-(2) )  
(Package name: DPAK (S) )  
4
4
D
1. Gate  
1
2
3
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
G
1
2
3
S
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8  

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