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2SJ518AZTR-E

更新时间: 2024-02-16 23:02:36
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体小信号场效应晶体管开关ISM频段
页数 文件大小 规格书
7页 83K
描述
Silicon P Channel MOS FET

2SJ518AZTR-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:UPAK包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.26
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:0.63 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:20
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ518AZTR-E 数据手册

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2SJ518  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0875-0400  
(Previous: ADE-208-580B)  
Rev.4.00  
Sep 07, 2005  
Description  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
RDS (on) = 0.35 typ. (at VGS = –10 V, ID = –1 A)  
Low drive current  
4 V gate drive devices  
High speed switching  
Outline  
RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A  
R
(Package name: UPAK  
)
D
1
2
1. Gate  
3
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
G
4
S
Note: Marking is “AZ”.  
*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.  
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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