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2SJ410-E

更新时间: 2024-02-01 11:13:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 1109K
描述
Silicon P Channel MOS FET

2SJ410-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):6 A
最大漏极电流 (ID):6 A最大漏源导通电阻:0.85 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W最大脉冲漏极电流 (IDM):24 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ410-E 数据手册

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2SJ410  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0863-0300  
Rev.3.00  
Jun 05, 2006  
Description  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator and DC-DC converter and motor driver  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003AD-A  
(Package name: TO-220FM)  
D
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
S
Rev.3.00 Jun 05, 2006 page 1 of 4  

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