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2SJ399

更新时间: 2024-02-15 17:16:59
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瑞萨 - RENESAS 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 99K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

2SJ399 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.29Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):0.2 A最大漏源导通电阻:7.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ399 数据手册

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2SJ399  
Silicon P-Channel MOS FET  
REJ03G0193-0200Z  
(Previous ADE-208-267 (Z) )  
Rev.2.00  
Apr.05.2004  
Application  
Low frequency power switching  
Features  
Low on-resistance  
Small package  
Low drive current  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Suitable for low signal load switch.  
Outline  
MPAK  
3
1
2
D
1. Source  
2. Gate  
G
3. Drain  
S
Note: Marking is “ZF–”  
Rev.2.00, Apr.05.2004, page 1 of 5  

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