是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-3P |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.38 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 45 A |
最大漏极电流 (ID): | 45 A | 最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e2 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 180 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN COPPER | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ217-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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2SJ218 | HITACHI | Silicon P-Channel MOS FET |
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2SJ218-E | RENESAS | 0.06ohm, POWER, FET, TO-3PFM, 3 PIN |
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2SJ219(L) | RENESAS | 15A, 60V, 0.17ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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2SJ219(S) | RENESAS | 15A, 60V, 0.17ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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2SJ219(S)TL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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