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2SJ217

更新时间: 2024-02-16 12:07:37
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 82K
描述
Silicon P Channel MOS FET

2SJ217 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.38Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):45 A
最大漏极电流 (ID):45 A最大漏源导通电阻:0.06 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):180 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ217 数据手册

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2SJ217  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0850-0200  
(Previous: NON-084)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Description  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
4 V gate drive device  
Can be driven from 5 V source  
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A  
(Package name: TO-3P)  
D
1. Gate  
2. Drain (Flange)  
3. Source  
G
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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