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2N6045-6263

更新时间: 2024-01-11 01:54:14
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瑞萨 - RENESAS /
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4页 121K
描述
8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

2N6045-6263 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.66Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):8 A
基于收集器的最大容量:200 pF集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:75 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:4 VBase Number Matches:1

2N6045-6263 数据手册

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