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2N5840

更新时间: 2024-02-15 06:20:59
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
6页 385K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,375V V(BR)CEO,3A I(C),TO-3VAR

2N5840 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-204AA
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数:2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.29Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:350 V
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N5840 数据手册

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