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1SV121TE

更新时间: 2024-01-27 08:43:55
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瑞萨 - RENESAS 衰减器测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, DO-34

1SV121TE 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.22
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:ATTENUATOR
最小击穿电压:100 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最大二极管电容:0.7 pF
二极管元件材料:SILICON最大二极管正向电阻:10 Ω
二极管电阻测试电流:10 mA二极管电阻测试频率:100 MHz
二极管类型:PIN DIODE频带:HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
反向测试电压:30 V表面贴装:NO
技术:POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1SV121TE 数据手册

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